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以Ｂ２Ｏ３作掺杂剂，用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜。用Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率，霍耳迁移率以及载流子浓度随温度的变化关系。
用Van der Pauw法研究硼重掺杂金刚石薄膜电学性质
【摘 要】
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以Ｂ２Ｏ３作掺杂剂，用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜。用Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率，霍耳迁移率以及载流子浓度随温度的变化关系。
【机 构】
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北京工业大学应用物理系,兰州大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年8期
【基金项目】
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北京市自然科学基金
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