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通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的优势。
绝缘栅双极晶体管直流电参数高温性能的测试与分析
【摘 要】
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通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的优势。
【机 构】
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北京工业大学
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1996年6期
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