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采用电子束蒸镀在ITO上沉积HfO2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响.当450℃时O2退火,HfO2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现HfO2有单斜相等结晶生成.450℃下N2退火,HfO2结构则没有明显晶体和晶界结构,且N2气氛退火的HfO2漏电约为O2气氛退火的1/10.
薄膜晶体管中高性能HfO2的低温制备研究
【摘 要】
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采用电子束蒸镀在ITO上沉积HfO2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响.当450℃时O2退火,HfO2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现HfO2有单斜相等结晶生成.450℃下N2退火,HfO2
【机 构】
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高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室 华南理工大学材料科学与工程学院 广州510640
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2016年8期
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