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本文用ＭＯＣＶＤ法研究了ＧａＩｎＰ及其掺Ｚｎ材料的生长和特性，并进行了生长速率对生长动力学，Ｚｎ的掺杂效率，Ｉｎ的组分，表面形貌，电学性质的影响研究。
MOCVD GaInP材料本底浓度及其掺Zn时组分的控制
【摘 要】
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本文用ＭＯＣＶＤ法研究了ＧａＩｎＰ及其掺Ｚｎ材料的生长和特性，并进行了生长速率对生长动力学，Ｚｎ的掺杂效率，Ｉｎ的组分，表面形貌，电学性质的影响研究。
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年1期
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