【摘 要】
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设计并实现了一款1 200 V/600 A半桥结构的大功率SiC模块.模块内部通过SiCMOSFET多芯片并联构成.针对传统模块中由于功率回路与驱动回路的耦合而导致的并联芯片不均流问题,将
【机 构】
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北京世纪金光半导体有限公司,北京 100176
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设计并实现了一款1 200 V/600 A半桥结构的大功率SiC模块.模块内部通过SiCMOSFET多芯片并联构成.针对传统模块中由于功率回路与驱动回路的耦合而导致的并联芯片不均流问题,将芯片的辅助驱动电极从芯片表面引出,避免了两者的耦合问题.同时借助仿真软件,证明了并联芯片的不均流问题得以改善.将本设计模块与国外同规格的SiC模块进行了电学参数的测试对比,同时与同规格的Si基IGBT模块进行对比.结果 表明本设计模块与国外模块相比,静态性能略差,动态性能更优;且SiC模块的损耗比同规格的Si基模块的降低了约51％.对SiC功率模块进行了相关可靠性试验,结果显示样品均未发生失效.
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