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在不同注F剂量条件下，对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照内应进行了研究．分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异．结果表明，在栅场介质注入适量的F，可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长，从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性．
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性
【摘 要】
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在不同注F剂量条件下，对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照内应进行了研究．分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异．结果表明，在栅场介质注入适量
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,西安微电子技术研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年7期
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