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由Si和SiO2两种介质材料构成一维二元光子晶体，研究了介质材料各层厚度对光子禁带宽度和禁带位置的影响。为了更加接近实际情况，数值模拟中考虑了Si和SiO2折射率随波长的变化及材料的吸收。研究结果表明，在单周期厚度不变时，随着Si和SiO2两种高低折射率介质厚度比值的增加，光子禁带变窄且禁带中心向长波方向移动；在两种介质厚度比值确定时，随着两种介质厚度同步递增，光子禁带展宽的同时禁带中心向长波方向移动。因此，在介质材料确定的前提下，可通过改变介质材料各层的厚度获得所需要的光子禁带。