MAOS型不易失信息的存贮器电路的特性

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前言 不易失信息的半导体存贮器的重要性正在予以大力宣传的今天,对它的研究是很盛行的。在国内外已经有MAS存贮器、FAMOS存贮器、雪崩注入型存贮器、MNOS存贮器和玻璃半导体存贮器等许多报导。可以列举出对这些元件的要求条件是记忆信息的写入和消去要容易用电气的方法实现;它们的重复再现性在实用上要毫无妨碍;一旦写入了信息,即使 Preface The importance of semiconductor memory, which is not subject to loss of information, is being vigorously publicized today, and the study of it is prevalent. At home and abroad have been MAS memory, FAMOS memory, avalanche injection memory, MNOS memory and glass semiconductor memory and many other reports. The requirement for these elements is that writing and erasing of the memory information are easily accomplished electrically; their reproducibility is practically unimpeded; once the information has been written, even though
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