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采用RF磁控溅射法在玻璃衬底上原位低温生长ZnO薄膜。生长出的薄膜对可见光具有高于90%的透射率,该薄膜具有良好的C轴取向。利用X射线衍射(XRD)的测试结果,分析了溅射工艺条件如衬底温度、氩氧比和溅射气压等对薄膜性能的影响,得到最佳的生长工艺条件为:衬底温度300℃,溅射气压1 Pa,氩氧比为25 sccm:15 sccm。在此条件下生长的ZnO薄膜具有良好的C轴择优取向,并且薄膜的结晶性能良好。采用这种方法制备的ZnO薄膜适合用于制备平板显示器的透明薄膜晶体管和太阳电池的透明导电电极。