【摘 要】
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采用硅工艺设计、制作了 4× 2 88TDICCD红外焦平面HgCdTe阵列专用信号读出电路。文章详细介绍了 4× 2 88TDICCD信号读出电路的设计及制作 ,并给出了测试结果。
Using sili
【机 构】
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重庆光电技术研究所!重庆400060,重庆光电技术研究所!重庆400060
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采用硅工艺设计、制作了 4× 2 88TDICCD红外焦平面HgCdTe阵列专用信号读出电路。文章详细介绍了 4× 2 88TDICCD信号读出电路的设计及制作 ,并给出了测试结果。
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