论文部分内容阅读
对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了低温、快速率、大流量的新的技术方法。
ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究
【摘 要】
：
对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了
【出 处】
：
半导体技术
【发表日期】
：
2000年3期
其他文献
阐述了ＣｄＺｎＴｅ衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性；概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体生长的方法、原理和工艺步骤；分析了影响晶体质量（单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性）的因素，并提出了与
文章结合工作实践经验，提出了优化网络结构、适时调整运行电压、降低三相负荷不平衡度、合理选择配电变膳器、进行无功补偿等多项可行的节能降损技术与管理措施。
介绍了 C- V测量技术特点及其在半导体工艺检测上的应用 ,这对提高工艺质量及产品的可靠性起着重要的作用。
树突状细胞（DC）作为最有效的抗原呈递细胞（APC）,在结核分枝杆菌（MTB）感染中的作用机制日益受到重视。机体感染MTB后,DC能够有效摄取加工抗原、分泌多种细胞因子、激活免疫应答,在机
受高能粒子辐射，在直拉硅中会产生各种辐照缺陷，对硅及硅基器件的性能产生不利的影响，对辐照缺陷的控制可以增加硅的辐照稳定性。
详细分析了MOCVD AIGalnPLED外延片中V族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Mg掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序，它有利于生长宽带隙夹层、突变异
论述了图书馆系统维护的特点,指出图书馆系统维护需要实行时间管理,探讨了系统维护员应具有的素质。
研究了硅单晶表面多孔化后的光致发光现象，特别是多也化以后的后处理对发射光谱分布及强度的影响，以及在激光束照射下的光谱变化，在实验中，我们既观察到发光峰的蓝移，也观察到了红