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ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究
ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:r57014848
【摘 要】
:
对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了
【作 者】
:
刘玉岭
蔡冰祁
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2000年3期
【关键词】
:
ULSI
化学机械抛光
集成电路
二氧化硅
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对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了低温、快速率、大流量的新的技术方法。
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