一种基于BCD工艺的高性能振荡器的设计

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设计了一种基于UMC0.6μm BCD工艺,中心频率为1MHz,占空比为90%的振荡器电路。该电路作为DC-DC电源芯片的核心模块之一,采用迟滞和恒流源充放电技术,实现了高精度和高稳定性,具有良好的可移植性。HSPICE仿真结果表明:在2.5~6V的电源电压和-40℃~125℃的温度范围内,其振荡频率和占空比的偏差分别为±7%和3.1%。
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