【摘 要】
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采用ＦＴＩＲ、ＴＥＭ、ＳＥＭ等技术，在对渗硼层表面经ｒ．ｆ．ＰＣＶＤ沉积的ＢＮ膜进行了研究。试验证明，与采用Ｎ２气和Ｈ２气相比，以Ａｒ＋１０ｖｏｌ％Ｈ２作为载气，所获得的膜层ｃ－ＢＮ含量较高，膜厚最大，可达４．６μｍ，且膜基结合良好，而以Ｎ２气或Ｈ２气为载气时，前者会导致
【机 构】
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西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
【基金项目】
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于国家科委比利时弗兰 德合作项目
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采用ＦＴＩＲ、ＴＥＭ、ＳＥＭ等技术，在对渗硼层表面经ｒ．ｆ．ＰＣＶＤ沉积的ＢＮ膜进行了研究。试验证明，与采用Ｎ２气和Ｈ２气相比，以Ａｒ＋１０ｖｏｌ％Ｈ２作为载气，所获得的膜层ｃ－ＢＮ含量较高，膜厚最大，可达４．６μｍ，且膜基结合良好，而以Ｎ２气或Ｈ２气为载气时，前者会导致膜基结合力大大下降，后者会引起沉积速度明显降低。结果表明，对于ＰＣＶＤ过程，控制ｃ－ＢＮ形成的主要因素是离子轰击能量的转移，而不
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