【摘 要】
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采用FTIR、TEM、SEM等技术,在对渗硼层表面经r.f.PCVD沉积的BN膜进行了研究。试验证明,与采用N2气和H2气相比,以Ar+10vol%H2作为载气,所获得的膜层c-BN含量较高,膜厚最大,可达4.6μm,且膜基结合良好,而以N2气或H2气为载气时,前者会导致
【机 构】
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西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
【基金项目】
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于国家科委比利时弗兰 德合作项目
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采用FTIR、TEM、SEM等技术,在对渗硼层表面经r.f.PCVD沉积的BN膜进行了研究。试验证明,与采用N2气和H2气相比,以Ar+10vol%H2作为载气,所获得的膜层c-BN含量较高,膜厚最大,可达4.6μm,且膜基结合良好,而以N2气或H2气为载气时,前者会导致膜基结合力大大下降,后者会引起沉积速度明显降低。结果表明,对于PCVD过程,控制c-BN形成的主要因素是离子轰击能量的转移,而不
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