c-BN膜相关论文
以Ar+10%H2(体积分数计)、H2及N2为载气,采用射频PCVD技术在40Cr钢表面制备了BN膜;对沉积BN膜进行了FTIR、TEM和SEM等分析;并对不同载气下膜与基体的结合力、膜层残余应力、......
本文研究了直流等离子体CVD法制备C-BN薄膜。在衬底温度850℃和放电电流密度4A/cm^2条件下,c-BN膜生长速率可达10μm/h反应气体是B2H6+NH3+H2,并且工作压强为13-26kPa。......
以Ar+10%H2(体积分数)H2及N2为载气,采用射频PCVD技术在40Cr钢表面制备了BN膜,对沉积BN膜进行了FTIR,TEM和SEM等分析,并对不同载气下膜与基体的结合力,膜层残余应力,硬度及耐磨......
采用FTIR、TEM、SEM等技术,在对渗硼层表面经r.f.PCVD沉积的BN膜进行了研究。试验证明,与采用N2气和H2气相比,以Ar+10vol%H2作为载气,所获得的膜层c-BN含量较高,膜厚最大,可达4.6μm,且......
介绍了 c-BN的优异特性及应用前景。评述了 c-BN膜的几种低压物 理气相沉积(PVD)和低压化学气相沉积(CVD)制备方法,分析其成膜特点及对c- BN形成有显著影响......