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在分析SiC中杂质分离化时，考虑了Frenkel-Pool效应，通过求解SiC MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程，提出了一个新的SiC MOSFET反型层薄层电荷（charge-sheet)数值模拟，对SiC中杂质不完全离化的研究表明，杂质原子较大的离化能，高的掺杂浓度以及低温会使不完全离化的影响增强，对于SiC MOSFET,杂质不完全离化的影响主要在亚阈区。