【摘 要】
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本文主要叙述超纯P型硅探测器的制备和性能。应用浙江大学研制的超纯硅单晶制成50mm~2×1.5mm的Si(Hp)探测器,在室温10℃,对~(270)Bi 481.6keV和976keV内转换电子的能量分辨
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本文主要叙述超纯P型硅探测器的制备和性能。应用浙江大学研制的超纯硅单晶制成50mm~2×1.5mm的Si(Hp)探测器,在室温10℃,对~(270)Bi 481.6keV和976keV内转换电子的能量分辨率分别为6.3keV和8.58keV;对~(137)Cs624keV内转换电子能量分辨率为7.1keV。
This article describes the preparation and performance of ultrapure P-type silicon detectors. The energy resolution of (270) Bi 481.6keV and 976keV internal conversion electrons was calculated by using Si (Hp) detector of 50mm ~ 2 × 1.5mm made by ultrapure silicon single crystal developed by Zhejiang University. 6.3keV and 8.58keV respectively; the energy conversion of electrons in ~ (137) Cs624keV is 7.1keV.
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