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介绍了氧化门厚度在８～２０ｎｍ范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是，当氧化门厚度减小到４ｎｍ以下时，这种超薄氧化门比起厚一些的氧化门对充电损伤具有更好的免疫性，对隧道电流具有极好的承受能力。分析了上述两种氧化门厚度范围内等离子体充电损伤的不同机理。
等离子体充电损伤对氧化门厚度的依赖关系
【摘 要】
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介绍了氧化门厚度在８～２０ｎｍ范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是，当氧化门厚度减小到４ｎｍ以下时，这种超薄氧化门比起厚一些的氧化门对充电损伤具有更好的免疫性，对隧道电流
【出 处】
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仪表技术与传感器
【发表日期】
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2000年3期
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