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从经典电路理论出发，得到了磁通偏置超导电路的Bloch-Redfield方程，并在二能级近似下，讨论了不同的环境阻抗及耦合效应对磁通量子比特消相干的影响。结果发现：在一定条件下，消相干时间随耦合强度的增加而减小；环境阻抗为纯电阻时，消相干时间随电阻的增加而增加。环境阻抗由RC电路构成时，不同的电路元件对消相干时间的影响不同。