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提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管，模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理．对于nMOS器件，背栅n阱是通过剂量为3×10^13cm^-2，能量为250keV的磷离子注入实现的，并与n＋前栅多晶硅直接相连．这项技术与体硅工艺完全兼容．通过Tsuprem4和Medici模拟，发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOSFET保持了传统全耗尽S0I nMOSFET的优势，消除了反常亚阈值斜率和kink效应，同时较传统全耗尽SOI nMOSFET有更加优秀的电流驱动能力和跨