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采用ＰＬＤ工艺制备Ａｕ／Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３／ＳｉＯ２／Ｓｉ异质结构。这种结构的铁电场效应晶体管的电性能由Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ特性表征，Ａｕ／Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３／ＳｉＯ２／Ｓｉ异质结构的Ｃ－Ｖ曲线表现为极化开关，对应５００ｎｍ ＰＺＴ，记忆窗口约３Ｖ。实验表明Ａｕ／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ栅结构实现了铁电体场效应存储性能。