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以InC l3.4H2O和SnC l4.5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在S iO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜。采用方块电阻测量仪、紫外/可见光分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及光谱特性。结果表明,薄膜的方块电阻与Sn掺杂量、提拉次数及热处理温度均有关。得到的最佳参数为Sn掺杂量10%（摩尔比）、5次提拉并干燥、500℃热处理1h（炉外空冷）。制得的最佳ITO薄膜方阻为240Ω/□,可见光平均透过率大于90%。