【摘 要】
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一、引言 不少文章已介绍了氮化硅膜有它的独特之处,许多性能优于二氧化硅膜,因而已在集成电路工艺中得到广泛的应用,而目前制备氮化硅膜有种种方法,较常用的有高温(850℃左
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一、引言 不少文章已介绍了氮化硅膜有它的独特之处,许多性能优于二氧化硅膜,因而已在集成电路工艺中得到广泛的应用,而目前制备氮化硅膜有种种方法,较常用的有高温(850℃左右)下的化学汽相淀积(简称CVD)及低温(500℃以下)等离子化学汽相淀积(简称PCVD),前者又分“常压法”和“减压法”。本文主要讨论前者两种方法生长的氮化硅膜。
I. INTRODUCTION Many articles have introduced the uniqueness of the silicon nitride film. Many of its properties are superior to those of the silicon dioxide film and have been widely used in the fabrication of integrated circuits. However, Method, the more commonly used are high temperature (about 850 ℃) chemical vapor deposition (CVD) and low temperature (500 ℃ below) plasma CVD (the former PCVD), the former is divided into “atmospheric pressure method” and “Decompression method.” This article focuses on the former two methods of growth of silicon nitride film.
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