半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hongmaomi

【摘要】

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研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程，其中HF(40％)／CrO3(33wt%)腐蚀液比较适合，用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析，并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀

【作者】

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辛国锋陈国鹰冯荣珠花吉珍安振峰牛健赵卫青

【机构】

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河北工业大学信息工程学院微电子所,中国电子科技集团公司第十三研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年10期

【关键词】

：

化学湿法腐蚀半导体激光器阵列扫描电子显微镜 wet chemical etching semiconductor lasers array scanning

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研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程，其中HF(40％)／CrO3(33wt%)腐蚀液比较适合，用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析，并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激巍番阵列隔离槽的图像．通过调节HF／CrO3腐蚀液的体积比(从0．02到0．2)，确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件(室温23℃，腐蚀时间4min)以及最佳配比(体积比为0．1)．利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求．

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