论文部分内容阅读
提出在SOIp-MOSFET中采用GeSi源/漏结构,以抑制短沟道效应,研究了在源、漏或源与漏同时采用GeSi材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低(DIBL)效应的影响,并讨论了Ge含量及硅膜厚度变化对短沟道效应及相关器件性能的影响。研究表明Ge含量应在提高器件驱动电流及改善短沟道效应之间进行折中选择。对得到的结果文中给出了相应的物理解释,随着器件尺寸的不断缩小,GeSi源/漏结构不失为p沟MOS器件的一种良好选择。