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采用准分子脉冲激光沉积（PLD）工艺，制备了Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管，在氧气氛350度低温沉积，原位530度快速退火工艺条件下，获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb(Zr0.52Ti0.48)O2(PZT)铁电薄膜，PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的，不对称的电滞回线，其剩余极化和矫顽场分别为13uC/cm2和48kV/cm，从C－V和I－V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象，记忆窗口约1．1V，＋4V偏压下电流密度为3．9×10^-6A/cm2。