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研究了采用高频Plasma CVD技术在较低温度下（300-400℃）生长以GaN为基的Ⅲ-Ⅴ族氮化物的可行性，在蓝宝石衬底上生长了GaN缓冲层，热处理后的光致发光谱和X光衍射表明，生长的GaN缓冲层为立方相，带边峰位于3.15eV。在作者实验的范围内，最优化的TMGa流量为0.08sccm(TMAm=10sccm时）,XPS分析结果表明此时的Ga/N比为1.03，这是第一次在高Ⅴ/Ⅲ比下得到立方GaN。相同条件下石英玻璃衬底上得到的立方GaN薄膜，黄光峰很弱，晶体质量较好。