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论述了从硅熔体中生长3C－SiC晶体过程中6H－SiC晶型控制的一般原理，采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化。坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体，在石墨表面形成厚约0．2mm的SiC薄层。X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、Raman散射等分析表面所制备样品为3C－SiC多晶体，实验结果进一步证明从硅熔体中生长3C－SiC晶体过程中，通过适当调整工艺参数可以抑制6H－SiC晶型的形成。