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用气态源分子束外延法制备了Si/SiGe/Si npn异质结双极晶体管。晶体管基区Ge组分为0.12,B掺杂浓度为1.5×10^19cm^-3,SiGe合金厚度约45nm。直流特性测试表明,共发射极直流放大倍数约50,击穿电压VCE约9V;射频特性测试结果表明,晶体管的截上频率为7GHZ,最高振荡频率为2.5GHZ。