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使用ＭＯＣＶＤ生长技术，在ｎ型及半绝缘衬底上生长了ＩｎＰ外延层，通过对迁移率和低温光致发光，光反射谱的分析，得出了样品纯度与有关生长条件的关系。
MOCVD生长的InP外延层的输运及发光特性
【摘 要】
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使用ＭＯＣＶＤ生长技术，在ｎ型及半绝缘衬底上生长了ＩｎＰ外延层，通过对迁移率和低温光致发光，光反射谱的分析，得出了样品纯度与有关生长条件的关系。
【机 构】
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吉林大学电子工程系,国家集成光电子重点实验室
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1995年3期
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