【摘 要】
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在厚膜混合IC的基板键合区中,存在玻璃相残留、平整性差、沾污等问题.采用常规安全成球(BBOS)工艺进行芯片与基板互联时,存在键合不粘、短线尾等异常问题.本研究采用先植球后
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060
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在厚膜混合IC的基板键合区中,存在玻璃相残留、平整性差、沾污等问题.采用常规安全成球(BBOS)工艺进行芯片与基板互联时,存在键合不粘、短线尾等异常问题.本研究采用先植球后打线(BSOB)键合工艺,消除了键合过程中的异常问题.对比了BSOB、BBOS两种方式的可靠性,研究了劈刀磨损对BSOB方式的可靠性影响.结果 表明,BSOB方式在初始拉力和300℃/24 h后的拉力及过程能力指数(Cpk)均明显高于规范值,键合40万个点后,无明显变化.BSOB方式是一个键在另一个键上面形成的复合键合,满足GJB548规范要求.
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