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利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波蓝移了７７．９ｎｍ。
浅离子注入InGaAs／InGaAsPSL—MQW激光器的混合蓝移效应
【摘 要】
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利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波蓝移了７７．９ｎｍ。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京师范大学低能核物理所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年6期
【基金项目】
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“863”307主题资助
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