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混合蓝移效应相关论文
浅离子注入InGaAs/InGaAsPSL—MQW激光器的混合蓝移效应
利用300keV的P+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱激光器外延结构实施浅注入,经H2/N2混合气氛下的快速退火,结构的光致发光峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激......
期刊
混合蓝移效应
SL-MQW
激光器
浅离子注入
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