关于抢电流逻辑(CHL)的二维分析和设计步骤

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基本的抢电流逻辑元件(反相器)是一个带有附加收集极的横向晶体管,该收集极处在发射极 E 和输出收集极 C_0之间,即所谓控制收集极 C_1,图1(a—b)。反向偏置的 C_1,抢去了所注入的载流子,使得 C_0中只剩下漏泄电流,浮空条件下 C_1饱和,因此相当于一个发射极注入空穴被 C_0所收集。本文将指出用计算机模拟的办法,对该问题给予精确的求解,并且提供一个关于 CHL设计问题的一个简化模型。对于具有埋层,衬底和隔离扩散的单块PNP 晶体管的分析,证实了以下几个假设是正确的。CHL 线路(抢电流逻辑)通常采用中等 The basic current-grabbing logic element (inverter) is a lateral transistor with an additional collector between the emitter E and the output collector C_0, the so-called collector C_1. Figure 1 (a- b). Reverse bias C_1, snatched the injected carriers, making C_0 only leakage current, C_1 under the floating conditions of saturation, which is equivalent to an emitter hole is C_0 collected. This article will point out the use of computer simulation to solve the problem accurately and provide a simplified model of CHL design problems. The analysis of a single PNP transistor with buried layer, substrate, and isolated diffusion confirms the following hypotheses. CHL line (grab current logic) is usually medium
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