【摘 要】
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采用ＮａＣｌ－ＮａＯＨ掺杂体系，控制晶体中ＯＨ￣－的含量在１０～８０ｐｐｍ，排除Ｋ￣＋、Ｌｉ￣＋等杂质离子的影响，调整适当的生长工艺条件，在Ａｒ气氛中用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长晶体，获得了性质优良的Ｎａｃｌ（ＯＨ￣－）单晶，为ＮａＣｌ（ＯＨ￣－）：（Ｆ）＿Ｈ。色心激光晶体的制备及激光运转奠定了良好的基
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采用ＮａＣｌ－ＮａＯＨ掺杂体系，控制晶体中ＯＨ￣－的含量在１０～８０ｐｐｍ，排除Ｋ￣＋、Ｌｉ￣＋等杂质离子的影响，调整适当的生长工艺条件，在Ａｒ气氛中用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长晶体，获得了性质优良的Ｎａｃｌ（ＯＨ￣－）单晶，为ＮａＣｌ（ＯＨ￣－）：（Ｆ）＿Ｈ。色心激光晶体的制备及激光运转奠定了良好的基础。
Adopting NaCl-NaOH doping system, the content of OH- in the crystal is controlled to be 10-80ppm, the effect of impurities such as K¯ +, Li¯ + and so on is eliminated, the proper growth process conditions are adjusted, Czochralski growth is carried out in Ar atmosphere Crystals, to obtain a good nature of Nacl (OH ~ -) single crystal, NaCl (OH ~ -): (F) _H. The preparation of the color center laser crystal and laser operation laid a good foundation.
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