【摘 要】
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用射频磁控溅射方法制备了系列Co/SiO2不连续磁性金属绝缘体多层膜(DMIM).经研究发现:对[SiO2(2.4 nm)/Co(t)]20体系,在Co层厚度小于2.5 nm时,Co层由连续变为不连续;Co层不连
【机 构】
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兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州,730000
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用射频磁控溅射方法制备了系列Co/SiO2不连续磁性金属绝缘体多层膜(DMIM).经研究发现:对[SiO2(2.4 nm)/Co(t)]20体系,在Co层厚度小于2.5 nm时,Co层由连续变为不连续;Co层不连续时,其导电机理为热激发的电子隧穿导电,lnR与T-1/2接近正比关系; 隧道磁电阻(TMR)在Co层厚度为1.4 nm时出现极大值-3%.DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关,而且与绝缘层厚度有密切的关系.在固定Co层厚度为1.9 nm的情况下,研究了TMR随SiO2层厚度的变化关系,并给出定性的解释.对[SiO2(2.4 nm)/Co(2.0 nm)]20的样品研究了TMR随温度的变化关系,发现TMR随温度的变化有一极大值,结合Helman 的理论(Phys.Rev.Lett,37,1429 (1976)),认为是颗粒之间存在磁性耦合的结果.
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