【摘 要】
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为IGCT的应用而开发的大面积（〉50cm2）4.5kV快恢复硅二极管具有很低的漏电流以及直至140℃的高安全工作区SOA。为了获得软的反向恢复特性和在2.8kV下100FIT的抗宇宙射线辐射能
【机 构】
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瑞士ABB公司,清华大学电力电子厂
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为IGCT的应用而开发的大面积（〉50cm2）4.5kV快恢复硅二极管具有很低的漏电流以及直至140℃的高安全工作区SOA。为了获得软的反向恢复特性和在2.8kV下100FIT的抗宇宙射线辐射能力,对硅器件的设计及少子寿命控制进行了优化。此外,用离子辐照在阳极缓冲层反向偏置空间电荷区RBSOA中造成的缺陷峰值与电子辐照相结合的方法,可以塑造通态等离子体的形状、减小反向恢复损耗。除了低的漏电流之外,新设计还提供了非常坚固的阳极,在反向恢复期间没有di/dt扼流线圈的情况下,阳极能够承受高达10kA/μs的d
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