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我们将C60膜沉积在p-GaAs(100)衬底上,做成了固体C60/p-GaAs异质结并对其电学性质做了研究。异质结的理想因子接近于1,在偏压为±1V时,其整流比大于10^6倍,在正向偏压固定的情况下,结电流的对数与温度倒数成线性函数关系,从关系中求出异质结有效势垒高度为0.63eV。用深能级瞬态谱(DLTS)在C60/p-GaAs界面上观测到一个空穴陷阱,其能级为GaAs介带之上0.45eV,密