固体C60／p—GaAs异质结的整流特性和界面电子态

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mcdonaldz

【摘要】

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我们将Ｃ６０膜沉积在ｐ－ＧａＡｓ（１００）衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究。异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０＾６倍，在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线

【作者】

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陈开茅顾镇南

【机构】

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北京大学物理系,北京大学化学系

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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1998年9期

【关键词】

：

碳60 砷化镓异质结整流特性界面电子态 Electric rectifiers Fullerenes Heterojunctions

【基金项目】

：

国家教委优秀年轻教师基金,国家自然科学基金

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我们将Ｃ６０膜沉积在ｐ－ＧａＡｓ（１００）衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究。异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０＾６倍，在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线性函数关系，从关系中求出异质结有效势垒高度为０．６３ｅＶ。用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）在Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上观测到一个空穴陷阱，其能级为ＧａＡｓ介带之上０．４５ｅＶ，密

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