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结合实验中观察到的光激发电荷畸现象，提出光激发电荷畸理论模型描述高倍培GaAs光电导开关的瞬态特性，讨论了高倍增GaAs光电导开关的非线性特性如上升时间、时间延迟和光能、电场阈值，光激发电荷畸的成核、生长以及畸内发生的磁撞电离和辐射复合决定了高倍增GaAs光电导开关的引发和维持相，理论计算结果与实验测试相符合。