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研究了纳米复合压敏陶瓷粉体制备的微型压敏芯片在不同温度退火前后电性能的稳定性,不同退火温度下晶界相结构的转变;研究确定了晶界耗尽层间隙锌离子的缺陷类型、缺陷密度与退火温度的关系,在此基础上提出了对稳定性做出贡献的晶界相变和间隙锌离子迁移的复合模型.
纳米复合粉体制备压敏陶瓷的晶界相变及稳定性
【摘 要】
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研究了纳米复合压敏陶瓷粉体制备的微型压敏芯片在不同温度退火前后电性能的稳定性,不同退火温度下晶界相结构的转变;研究确定了晶界耗尽层间隙锌离子的缺陷类型、缺陷密度与
【机 构】
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中国科学院新疆物理所,四川大学材料工程系
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2003年1期
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