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以进一步改善长波长应变多量了阱(MQW)激光器为目的,利用气源分子束外延(MBE)研究了n型和p型调制掺杂两种情况对多量子阱激光器性能的影响,在n型调制掺杂的MQW(MD-MQW)激光器的1200μm长器件上,获得了阈值电源密度低至250A/cm^2,在1.3μmInAsPn型MD-MQW激光器件中,获得了室温时的阈值电流为0.9mA,这是迄今为止对于n型调制掺杂的长波长激光器报导最低的数据。并且是由各种MBE在长波长波段生长的激光器最低的数值,在n型MD-MQW激光器中阈值电流和载流子寿命的降低,可使运