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以进一步改善长波长应变多量了阱（MQW）激光器为目的，利用气源分子束外延（MBE）研究了n型和p型调制掺杂两种情况对多量子阱激光器性能的影响，在n型调制掺杂的MQW（MD－MQW）激光器的1200μm长器件上，获得了阈值电源密度低至250A/cm^2，在1．3μmInAsPn型MD－MQW激光器件中，获得了室温时的阈值电流为0.9mA,这是迄今为止对于n型调制掺杂的长波长激光器报导最低的数据。并且是由各种MBE在长波长波段生长的激光器最低的数值，在n型MD－MQW激光器中阈值电流和载流子寿命的降低，可使运