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采用质子轰击ｎ－ＧａＰ晶体作为外部电光采样材料，用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构，对ＩＴＯ共面波导上的微波信号进行了测量，结果表明，用质子轰击的方法可以使ｎ－ＧａＰ样品的电阻增大四个量级，接近于半绝缘材料，能有效地减小ＧａＰ晶体内部自由电荷对电场的屏蔽效应，在２．３０ＧＨｚ微波信号时，质子轰击ＧａＰ外部电光采样测量获得了４０ｍＶ／√－Ｈｚ的电压灵敏度。