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对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾，利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜。利用Ｘ射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性，用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面表貌，发现双层膜表面出现较多的裂纹，从Ｘ射线衍射的结果和材料的热学参数分析了导致这种现象的几种原因。