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在分析ＢＪＴ的Ｇ－Ｐ器件模型参数温度效应的基础上，提出了采用自洽模拟和外部控制循环，利用ＰＳＰＩＣＥ对包含自加热效应的ＢＪＴ电路进行直流和瞬态模拟的方法，其模拟结构与实验数据较好吻合。该方法亦可应用于其他器件所组成的电路。
包含自加热效应的BJT电路的直流及瞬态模拟
【摘 要】
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在分析ＢＪＴ的Ｇ－Ｐ器件模型参数温度效应的基础上，提出了采用自洽模拟和外部控制循环，利用ＰＳＰＩＣＥ对包含自加热效应的ＢＪＴ电路进行直流和瞬态模拟的方法，其模拟结构与实验数据较好吻合。该方法亦可应
【机 构】
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电子科技大学微电子科学与工程系,国营亚光电工厂研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年6期
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