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在一定的温度以下,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去,当温度升高超过 后,这种持续的光电导现象会消除,称为稳恒光电导现象,而且这种光电导效应具有很强的局域性,采用电学测量方法,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺Ge的ZnSe的稳恒光电导效应,结果发现淬变温度高达210K的稳恒光电导效应,并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性,结果发现