反应蒸发技术制备高性能In2O3和ITO薄膜

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在真空状态下,在两个石英坩埚分别装入纯In,In、Sn(Wt=10%)合金,并按所沉积膜的种类(In2O3或ITO)将某一石英坩埚装入加热器,当真空度达到要求后,通入氧气并开启加热器,可在玻璃基板上制备In2O3或ITO薄膜。制备的ITO薄膜的方块电阻为10Ω/□,可见光平均透过率≥90%,制备的In2O3薄膜的方块电阻为35Ω/□,可见光平均透过率≥90%。是太阳能光伏产品及显示器件导电膜的理想选择。
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