InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:minglancao002
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
将覆盖层引入生长停顿的量子点结构作为激光器有源区来研究量子点激光器受激发射机制。由于强烈的性带填充效应,光致发光谱和电致发光谱中观察到对应于量子点激发态跃迁的谱峰,大激发时其强度超过基态跃迁对应的谱峰。最后激发态跃迁达到了阈值条件,激射能量比结构相似不含量子点的激器低,表明量子点激光器中首先实现受激发射是量子点的激发态。
其他文献
采用能量2GeV、剂量10^10-10^13cm^-2的Ar^+辐照P型Cd0.96Zn0.04Te材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究。实验结果和分析表明,Ar^+辐照在Cd0.96Z
利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-x/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD,RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表
采用状态空间法对柴油机调速系统的动态过程进行了建模与仿真,并分析了调速器最佳设计的主要参数变化规律,为设计调速器提供有益的依据。
使用MOCVD技术在Al2O3衬底上生长了GaN:Mg薄膜。通过对退火后样品的光电性能综合分析,研究了掺Mg量对生长P型GaN的影响。结果表明:要获得高空穴载流子浓度的P型GaN,Mg的掺发查必须控制好,掺Mg量较小时,GaN:Mg单昌膜呈现
采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对nSi/pSi1-xGex/nSi应变基区异质结双极管共射极电流放大系数β的影响,给出了Si1-xGexHBT的Gummel图,平衡能带图,得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起的β下降的
利用电学测量方法。给出了在集成电路制造过程中,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃(缺陷)的粒径分布参数提取方法。首先基于双桥微电子测试结构,通过具体制造工艺得到数据,然后处理得到
将Si、Ge和Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在N2气氛中,作550、650、750、850、950和1050℃退火后,进行电致发光研究。对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化
提出了一种适合于车用涡轮增压柴油机实时仿真的压气机特性计算方法,应用方便,计算时间少。对一台6缸增压柴油机压气机特性的实例计算表明,此方法具有较好的计算精度。
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中,空洞型原生缺陷(voids)的分布行为和其退火性质。从两种晶体不同位置取样,观察与大尺寸voids相关的流水花样缺陷(FPD)沿晶体轴向的分布,然后在1050-1