【摘 要】
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利用射频磁控溅射技术在LaNiO3/SiO2/Si(100)基底上制备了厚度约为250nm的0.65PMN-0.35PT(PMN-PT)薄膜.研究高压氧氛围退火方式对PMN-PT薄膜晶体结构、形貌以及电学性能的影
【机 构】
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长江师范学院,凝聚态物理研究所,盐城工学院,材料科学与工程学院,四川大学,材料科学与工程学院,
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利用射频磁控溅射技术在LaNiO3/SiO2/Si(100)基底上制备了厚度约为250nm的0.65PMN-0.35PT(PMN-PT)薄膜.研究高压氧氛围退火方式对PMN-PT薄膜晶体结构、形貌以及电学性能的影响.经过XRD测试发现,在高压氧气氛围中,温度为400C下退火后的PMN-PT薄膜具有纯的钙钛矿相结构,具有完全的(100)择优取向,且衍射峰尖锐,表明经过高压退火后的薄膜结晶极为充分.SEM表面形貌测试结果显示,经高压退火处理的PMN-PT薄膜表面呈现出棒状或泡状的形貌.铁电性能测试表明:氧气氛围压强4MPa,退火时间4h的PMN-PT薄膜样品具有较好的铁电性能,其剩余极化强度Pr达到10.544μC/cm2,且电滞回线形状较好,但漏电流较大,这可能是由于其微结构所导致.同时介电测试发现:PMN-PT薄膜样品具有极好的介电性能,其在1kHz下测试的介电常数εr达到913,介电损耗tgδ较小,仅为0.065.
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