【摘 要】
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目前在常规炉内完成的GaAs IC工艺过程的各种退火步骤可以很容易地转到方便的快速退火炉中进行。本文比较了注入到半绝缘GaAs中常用的离子(Si、Se、Be、Mg和Zn)经过两种退火
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目前在常规炉内完成的GaAs IC工艺过程的各种退火步骤可以很容易地转到方便的快速退火炉中进行。本文比较了注入到半绝缘GaAs中常用的离子(Si、Se、Be、Mg和Zn)经过两种退火方式所得到的激活特性,并讨论了在包封要求、产量和操作方面两种方法的局限性和优越性。
Various annealing steps of the GaAs IC process currently performed in conventional furnaces can easily be performed in a convenient rapid annealing furnace. In this paper, we compare the activation characteristics of the commonly used ions (Si, Se, Be, Mg and Zn) injected into semi-insulating GaAs by two annealing methods and discuss the effect of the two methods on the requirements of encapsulation, output and operation Limitations and advantages.
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