【摘 要】
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使用瞬态测量界面热阻的方法,分别研究了金锡共晶、纳米银浆半烧结和纳米银浆烧结等集成工艺对功率芯片散热性能的影响,证实了纳米银浆烧结工艺具有更低的界面热阻(0.215 K/W),是最优的低热阻集成工艺。在此基础上,结合X-ray成像方法和扫描电子显微成像方法,解释了产生该现象的微观机理。研究表明,利用瞬态法分析功率芯片封装内热阻是一种可靠有效的方法。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十九研究所
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使用瞬态测量界面热阻的方法,分别研究了金锡共晶、纳米银浆半烧结和纳米银浆烧结等集成工艺对功率芯片散热性能的影响,证实了纳米银浆烧结工艺具有更低的界面热阻(0.215 K/W),是最优的低热阻集成工艺。在此基础上,结合X-ray成像方法和扫描电子显微成像方法,解释了产生该现象的微观机理。研究表明,利用瞬态法分析功率芯片封装内热阻是一种可靠有效的方法。
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