【摘 要】
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利用气相输运方法,在(111)面硅衬底上制备了名义上原子数分数为2%的Li掺杂的ZnO纳米棒(样品A)。作为比较,我们在相同的生长条件下制备了没有任何掺杂的ZnO纳米棒(样品B)。XRD分析测
【机 构】
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上海电机学院机械学院,中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金(10804071),上海市自然科学基金(09ZR1420500),上海市教委高校选拔优秀青年教师培养基金(sdj08013),上海电机学院博士科研启动基金(08C409)和配套基金(08A128)资助项目
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利用气相输运方法,在(111)面硅衬底上制备了名义上原子数分数为2%的Li掺杂的ZnO纳米棒(样品A)。作为比较,我们在相同的生长条件下制备了没有任何掺杂的ZnO纳米棒(样品B)。XRD分析测试表明:样品A和样品B中的ZnO纳米棒具有纤锌矿六边形结构,没有其他氧化物,例如Li2O。Hall效应测量表明:样品A导电类型为p型,空穴载流子浓度为6.72×1016cm^-3,空穴载流子迁移率为2.46 cm^2·V^-1·s^-1。样品B为n型,电子载流子浓度为7.16×
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